一、事件概述
        11  月14  日，据中时电子报，长江存储32  层3D  NAND  存储芯片将于2018  年底前投产，采用Xtacking  架构64  层NAND  已经送样测试，预计最快将在19Q3  投产。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】
        二、分析与判断
        长江存储32  层3D  闪存投产将打破存储器国际垄断，填补国内市场空白
        据长江存储官网，国家存储基地项目于4  月11  日启动生产机台安装并为量产做准备，当时预计32  层3D  闪存芯片将于年内量产。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）长江存储研发出国内首批完全自主知识产权的32  层3D  闪存，一期项目前期在设备进厂、调试、试产方面进展顺利，将进入投产环节，有望打破3D  闪存芯片国际垄断，填补国内市场空白。据官网，长江存储于8  月底召开二期扩产项目推进会，二期规划投资17.8  亿美元，将建设自主NOR  闪存、微控制器和三维特种工艺三大平台。
        存储芯片国产替代空间大，长江存储投产将成为国内半导体崛起标志之一
        中国市场需求约占全球存储芯片市场的55%，目前国内几乎完全依赖进口。随着云计算、物联网和数据中心的发展，存储芯片在半导体中的地位和比重将持续提升。
        长江存储投产将成为国内半导体行业崛起的标志性事件之一，将鼓励国家和社会资本继续加大力度扶持半导体，芯片国产化率有望持续提升。
        国内存储芯片、代工厂等新产能持续开出将带动上游材料旺盛需求
        根据SEMI  的统计数据，全球将于2017-2020  年间投产62  座半导体晶圆厂，其中26  座设于中国大陆，占全球总数的42%。近期华力微二期12  寸线投产，存储芯片、代工厂等新产能持续开出将带动上游硅片、电子化学品、靶材等半导体靶材需求。
        三、投资建议
        建议关注：存储芯片，兆易创新；功率半导体，扬杰科技、韦尔股份；半导体材料，上海新阳、江丰电子。
        四、风险提示：
        1、存储芯片投产进度不及预期；2、关键技术突破不及预期；3、行业景气度下滑。